继电器做开关和MOSFET做开关,两者有什么区别呢?

1、阻抗不同，为了实施开关动作，其耗电量不同。

（1）MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件，也就是为了能在漏极端有电流产生，必须在闸极与源极之间，提供额定的电压值，由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon oxide layer)作电气上的隔离，因此，仅有微量的漏电流会由所供应的电压源进入闸极。所以MOSFET具有极高的增益与极高的阻抗。 

（2）继电器是通过线圈控制的，必须施加电流，其阻抗低，为了开关耗费的电量相对大一些。

2、关断原理不同
（1）要将MOSFET关闭（OFF）时，只要将闸极至源极电压移去，即可将MOSFET达至OFF状态。在移去闸极电压时电晶体会关闭，此时漏极与源极之间会呈现非常高的阻抗，因而除了漏电流（几微），可抑制其它的电流产生。
（2）继电器是通过改变继电器线圈的电流，实现触点分离，理论上可以说，断开后没有漏电流。

3、要想实现常开（常闭）开关，继电器很好实现，而MOSFET需要合理设计电路才行。